321-слойная NAND: SK hynix начинает массовое производство
18:07, ноября 22, 2024 Южнокорейская компания Sk hynix, специализирующаяся на производстве памяти, объявила о запуске массового производства первой NAND-памяти с 321 слоем. Емкость отдельных чипов NAND достигла 1 Тбайта. 321-слойная память продолжает прошлогоднюю разработку, в которой Sk hynix стала первым производителем, предложившим чипы NAND с 238 слоями. Ожидается, что продукты с новой NAND-памятью выйдут на рынок в первой половине 2025 года. Sk hynix отмечает простоту адаптации новой памяти с 321 слоем, так как многие технологические этапы предыдущей версии с 238 слоями остаются неизменными. В том числе применяется технология «3 plugs», создающая вертикальные...
Читать полный текст на www.hardwareluxx.ru